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功率器件 团队
可接单我们是深耕功率半导体 15 年的器件设计团队,覆盖硅基 MOSFET、IGBT、SiC、GaN 全技术路线,具备器件设计、工艺开发到封装测试的全链条能力,产品覆盖 30V-1700V 全电压段,核心指标对标国际一线品牌,并通过 AEC-Q101 车规认证,累计出货超 5 亿颗,广泛服务于新能源汽车、光伏储能与工业电源领域。 深耕功率半导体器件研发,熟悉 8-12寸 Fab 工艺平台及各类宽禁带半导体工艺。
团队规模
0 人
👥
平均经验
平均 7 年以上
⏳
🎯 承接项目类型
1、Si trench MOS设计开发 2、SGT设计开发 3、SJ MOS设计开发 4、GaN HEAT设计开发 5、Trench MOS设计开发 6、LDMOS设计开发 7、JBS设计开发 8、IGBT设计开发
🏆 团队过往成功案例
参与知名科研机构第三代半导体功率器件前沿研发。
