团队规模
2 人
👥
平均经验
平均 7 年以上
⏳
🎯 承接项目类型
SGT / Trench MOSLDMOS 器件开发JBS / SJ MOSIGBT 研发SiC / GaN 器件工艺
🏆 团队过往成功案例
参与知名科研机构第三代半导体功率器件前沿研发。
👨💻 核心专家阵容
功
功率器件专家 A
团队负责人
功率器件研发工程师
💼 5-10年⏱️ 10-20个小时
主要负责内容
国内知名高校微电子学博士，7年 SGT, Trench MOS 和 LDMOS 研发经验。熟悉8到1
项目经验
2寸Fab工艺平台。
SGTTrench MOSLDMOS
功
功率器件专家 B
普通成员
高级功率器件专家
💼 5-10年⏱️ 10-20个小时
主要负责内容
海外知名科研机构微电子学博士，6年功率器件研发经验，包括 JBS, SGT, SJ MOS 和 IG
项目经验
BT。精通 Si 和 SiC 功率器件工艺，熟悉 GaN 器件工艺。
SiCIGBTGaN