高性能电容型MEMS陀螺仪信号读取ASIC开发

本项目旨在开发一款用于电容型MEMS陀螺仪的高性能信号读取ASIC。芯片需要集成低噪声电荷敏感放大器(CSA)、高精度模数转换器(ADC)、数字滤波与校准模块，以及标准SPI/I2C接口。 技术指标要求： 1. 输入电容范围：1pF - 10pF 2. 等效输入噪声：< 0.1 aF/√Hz 3. ADC分辨率：24-bit Sigma-Delta 4. 功耗：< 5mW 5. 工艺：TSMC 0.18um BCD 要求团队具备完整的模拟前端设计、数字信号处理和版图设计能力，有过MEMS接口芯片成功流片经验者优先考虑。