VCO模块（SiGe工艺压控振荡器）

项目详细描述

本项目基于SiGe（硅锗）异质结双极型晶体管工艺设计压控振荡器（VCO）模块，目标应用于射频收发系统中的频率合成器。SiGe工艺相比传统CMOS具有更高的截止频率（fT可达200GHz以上）和更低的相位噪声，是实现高频低相噪VCO的理想选择。核心设计指标包括：调谐范围、相位噪声（dBc/Hz@偏移频率）、调谐灵敏度（MHz/V）、功耗及温度稳定性。项目需完成LC-VCO核电路设计（含可变电容阵列和开关电容组）、输出缓冲器设计、版图设计与电磁仿真（EM仿真），以及完整的PVT corner验证。具体频率范围与相噪指标详见SiGe_VCO指标Excel文件。