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最新招募中项目(8)
+ 免费发布项目TSMC 28nm 10Gbps PCIe PHY SerDes 模块开发
寻找具备深厚高速接口设计经验的团队，承接 10Gbps SerDes PHY 的设计与验证工作。项目需要覆盖从前端电路设计到物理版图实现的全流程。 核心挑战在于如何在28nm工艺下平衡功耗与抖动性能，需要团队有该工艺节点下类似速率接口的流片经验。
项目预算
20万 - 50万
高性能电容型MEMS陀螺仪信号读取ASIC开发
本项目旨在开发一款用于电容型MEMS陀螺仪的高性能信号读取ASIC。芯片需要集成低噪声电荷敏感放大器(CSA)、高精度模数转换器(ADC)、数字滤波与校准模块，以及标准SPI/I2C接口。 技术指标要求： 1. 输入电容范围：1pF - 10pF 2. 等效输入噪声：< 0.1 aF/√Hz 3. ADC分辨率：24-bit Sigma-Delta 4. 功耗：< 5mW 5. 工艺：TSMC 0.18um BCD 要求团队具备完整的模拟前端设计、数字信号处理和版图设计能力，有过MEMS接口芯片成功流片经验者优先考虑。
项目预算
>50万
TSMC 28nm 10Gbps PCIe PHY SerDes 模块开发
寻找具备深厚高速接口设计经验的团队，承接 10Gbps SerDes PHY 的设计与验证工作。项目需要覆盖从前端电路设计到物理版图实现的全流程。 核心挑战在于如何在28nm工艺下平衡功耗与抖动性能，需要团队有该工艺节点下类似速率接口的流片经验。
项目预算
20万 - 50万
高性能电容型MEMS陀螺仪信号读取ASIC开发
本项目旨在开发一款用于电容型MEMS陀螺仪的高性能信号读取ASIC。芯片需要集成低噪声电荷敏感放大器(CSA)、高精度模数转换器(ADC)、数字滤波与校准模块，以及标准SPI/I2C接口。 技术指标要求： 1. 输入电容范围：1pF - 10pF 2. 等效输入噪声：< 0.1 aF/√Hz 3. ADC分辨率：24-bit Sigma-Delta 4. 功耗：< 5mW 5. 工艺：TSMC 0.18um BCD 要求团队具备完整的模拟前端设计、数字信号处理和版图设计能力，有过MEMS接口芯片成功流片经验者优先考虑。
项目预算
>50万