吕
吕工
Flash芯片专家（10年+）
NAND FlashNOR Flash存储阵列ECC灵敏放大器高压电路浮栅器件流片验证
个人简介
资深Flash存储器芯片专家，10年以上经验。精通NAND Flash与NOR Flash存储芯片的全流程设计与工艺开发。熟悉浮栅晶体管（Floating Gate）及电荷俘获（Charge Trap）等存储单元物理机制，擅长Flash阵列架构设计、高压读写电路、灵敏放大器（Sense Amplifier）、ECC纠错编解码等核心技术。具备从存储单元建模、阵列仿真到流片验证的完整经验，曾参与多款大容量NAND Flash芯片及SPI NOR Flash产品的成功量产。
主要工作内容
Flash存储芯片的单元设计与阵列架构规划；读写电路、高压电荷泵、灵敏放大器电路设计；存储可靠性测试与失效分析；新工艺节点的存储单元评估与移植。
项目经历
主导2D/3D NAND Flash芯片的页缓冲器与列解码器电路设计；参与SPI NOR Flash产品的全流程开发，覆盖1.8V/3.3V双电源方案。
核心能力与工艺
NAND Flash设计
合作概览
所属领域
半导体工艺
工作年限
10年以上
可兼职时间
10-20小时
周末工作
接受
期望报酬方式
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