ICERS 半导体研发协作

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综合推荐经验最丰富

李

李专家

模拟集成电路设计专家

模拟前端/电源管理

工作年限: 17年
可投入时间: 按项目协商
现场办公: 暂不接受
期望日薪: 面议

个人简介

拥有长期模拟集成电路设计和产品工程经验，覆盖数据转换器、电源管理、接口和混合信号芯片。

主要工作

可承担SAR ADC、DAC、LDO、Bandgap、充电管理、接口模拟IP及模拟芯片产品化设计。

项目经验

参与多种ADC/DAC、电源管理、低功耗LDO、充电管理和高速接口模拟IP项目，具备从规格分解到流片验证的经验。

SAR ADCDACLDOBandgapPMIC模拟IP

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陈

陈专家

模拟版图设计专家

模拟版图

工作年限: 10年以上
可投入时间: 按项目协商
现场办公: 暂不接受
期望日薪: 面议

个人简介

长期从事模拟及混合信号芯片版图设计，具备模块级、顶层级版图和完整物理验证经验。

主要工作

可承担模拟模块、芯片顶层版图、floorplan、布局布线、匹配设计以及DRC/LVS/ANT等物理验证。

项目经验

参与电源管理、数据转换器、射频及高速接口等多类芯片版图项目，覆盖成熟工艺和先进工艺平台。

模拟版图混合信号TOP版图FloorplanDRCLVS

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Albert

ASIC工程师

数字前端, 数字前端/ASIC, 数字前端/SoC, 数字前端/存储, 数字前端/接口 IP, 数字后端, 模拟版图

工作年限: 10年以上
可投入时间: 10-20个小时
现场办公: 暂不接受
期望日薪: ¥5000/天

个人简介

35年ASIC设计经验

主要工作

35年ASIC设计经验/团队管理经验/项目管理经验

项目经验

35年ASIC设计经验

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Mr.Y

模拟版图工程师

模拟版图

工作年限: 10年以上
可投入时间: 5-10个小时
现场办公: 暂不接受
期望日薪: ¥3000/天

个人简介

电源IC类资深版图工程师&经理。目前带10+人团队，兼职了部分PIE工作。有国企，外企，民企的工作经验，有半年海外工作经历，近二年上海工作经历，25年版图设计和10多年管理经验。尤其擅长于电源管理类项目。懂数字后端设计原理流程，会使用encounter,innovus等后端工具。熟悉Cadence电路仿真，版图设计，验证（DRC/LVS/PEX）工具。懂python,svrf语法，会编写简单脚本，修改calibre rule以适应项目需要。工作中注意与电路设计工程师协调配合，能熟练处理版图从floorplan到验证的所有工作，对常用的工艺，如bcd,bcmos.bjt等有深刻的了解，理解各种高低压器件的原理及其立体结构。有正向和逆向模拟电路版图设计经验，独立和领导完成了众多版图工作。

主要工作

团队项目管理，工艺PDK工作环境统一，DRC/LVS rule 修改，powermos layout， TOP level layout，tapeout全流程，日常处理PBI request等fab端工作。

项目经验

涉及了 TSMC，SMIC，DBH，Globalfoundy, SK hynix, 增芯, 润鹏等多家工艺厂的8寸，12寸BCD工艺，主要涉及的项目有：charger， CCFL driver，buck，boost转换器，LDO线性稳压器，Class-D音频放大器，面板驱动，马达驱动，栅极驱动等。早期也曾有AD/DA转换器设计经验。

电源BCDlayout

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希

希凌

模板版图工程师

模拟版图

工作年限: 10年以上
可投入时间: 20个小时以上
现场办公: 暂不接受
期望日薪: ¥2000/天

个人简介

1.担任过多个项目的总图负责人，能根据电路要求完成模拟电路芯片总体布局规划、模块版图设计及版图绘制; 2.熟悉BCD工艺器件的版图结构及工作原理，latchup发生机制; 3.模拟模拟电路版图的设计方法与技巧，熟练掌握EDA工具的使用与LVS/DRC/XRC/LVL验证方法; 4.有高频高ESD性能版图、高压BCD/SOI/HBT工艺版图设计经验; 5.熟悉tapout的全过程，能根据不同代工厂的要求完成tapout及job view.有韩国东部、华润上华工艺、SMIC、GF、XMC的流片经验,熟悉55-180nm制程; 6.工作态度积极主动，能很好地与电路工程师及团队成员沟通。

主要工作

1.结合工艺设计要求进行芯片总体规划模块布局及设计、模块设计、全芯片集成与验证，主要为55nm-180nm的数模射频混合芯片版图设计，涉及HBT/SOI/CMOS工艺; 2.独立完成模拟及射频电路的版图布局与走线规划，完成top层的floorplan、baseline及variants的绘制;

项目经验

射频前端功率放大器芯片(已量产) 该芯片为N78/N77全频带射频前端发射芯片，包含射频开关、NVG、偏置、滤波器、数字模块; 项目重点:1.采用FC封装，关注sealring与bump及内部模块的间距;2.关注滤波器模块，避免交叉耦合;3.模拟模块远离开关输入pad,减少对开关的影响。多频多模块射频前端芯片(已量产) 该芯片高性能集成电路芯片，采用SOI工艺，包含射频开关、NVG、Bandgap、LDO、偏置、数字电路模块;项目重点:1.绘制可复用的模拟模块，在兼顾版本修改的同时尽可能节约模块面积;2.采用WB封装，由于设计引脚较多，需重点评估封装可行性;3.包含信号切换的天线开关，需避免ant与其他模拟的干扰;4.走线采用优化的布局方案，保证模块隔离度好，散热好，布局紧凑。高频全双工485接口芯片该芯片为高频高ESD接口芯片，传输速率最高为50MHz。担任总图负责人，负责芯片总体设计。项目重点:1.封装兼容--兼容全双工半双工单芯片封装和集成芯片封装;2.设计自主ESD结构:HBM 30KV,接触/空气放电:12KV/15KV;3.版图上的高频抗干绕设计，尽可能减少寄生。高压侧栅极辅助驱动芯片(已量产) 该芯片能在超高噪声环境下可靠运行，同时实现高频、大功率高压栅极驱动。项目重点:该芯片为集成芯片，共包含5颗芯片设计，本人担任总图负责人，负责芯片的总体设计。项目重点:1.芯片的集成封装;2.低侧芯片使用超高压BJT器件，版图上需做好高低压布局隔离的同时使bond线尽量短，减小开关信号对内部电路的影响。高压启动芯片(已量产) 该芯片为高压启动芯片，适用于宽范围电压输入的DCDC变换器。本人担任版图总负责人，负责项目统筹规划、芯片总体布局及集成验证、版图模块设计。项目重点:该芯片内置100V的DEMOS管，要求在极限情况下尽可能的提高驱动电流能力，版图优化功率管，减小寄生内阻，通过仿真来选择最优画法。 431同步整流控制芯片(已量产) 解读读工艺并输出总结文档，并在项目过程中就遇到的工艺问题与流片厂进行沟通。负责总图的整体规划及版图设计与绘制以及数据。1)431高精度模块的版图抗干扰设计;2)负压引脚下的ESD与高压嵌位管的latch-up防护版图设计

TSMC 28nm-55nm高压BCD工艺

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szgmylove

资深芯片架构工程师

数字前端, 数字后端, 模拟前端, 模拟前端/电源管理, 模拟前端/ADC/DAC, AI